NMOSFET相关论文
利用Silvaco TCAD软件，研究了电离总剂量（total ionizing dose, TID）效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿......
研究了基于0.18 μm 部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS 器件的高温特性.借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该......
研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作......
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和......
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PD-SOI H型栅nMOSFET。选取不同沟道宽度进行加速应力实......
研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V...
A solution is developed to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET(N-type Metal Oxide Semiconductor Field Eff......
研究了90nm CMOS工艺下浅槽隔离技术产生的x轴应力对NMOSFET电学性能的影响。用新一代集成工艺仿真软件Sentaurus TCAD对不同有源......
本文研究了交流就力下的热载流子效应，主要讨论了脉冲应力条件下的热空穴热电子交替注入对NMOSFET's的退化产生的影响，在脉冲应......
应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载......
研究了NPN双极晶体管和NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应.研究表明,NPN管在低剂量率辐照下,电流增益衰降更为显著,且具有......
Taurus WorkBench是用于超深亚微米层次下的TCAD一体化仿真优化平台.在介绍了TWB的主要功能及实施要点之后,以亚微米NMOSFET器件的......
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1M......
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结......
研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏......
建立了一个直接隧穿电流的经验公式．将氧化层厚度作为可调参数，用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流．......
通过对采用0．18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现，短沟薄栅氧LDD nMOSFET（Lg=0．18μm，Tox=3．2......
65 nm CMOS工艺作为一种先进的CMOS工艺在民用领域已经得到了较为广泛的应用,但业界对65 nm工艺节点MOS器件的经时介质击穿特性研......
阐述了0．18μm射频nMOSFET的制造和性能．器件采用氮化栅氧化层／多晶栅结构、轻掺杂源漏浅延伸结、倒退的沟道掺杂分布和叉指栅结构，除0......
MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中......
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利用多指条nMOSFET进行抗ESD设计是提高当前CMOS集成电路抗ESD能力的一个重要手段,本文针对国内某集成电路生产线,利用TLP(Transmi......
采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的......
